دیتاشیت IPD30N03S2L-10-VB
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPD30N03S2L-10-VB |
|---|---|
| حجم فایل | 74.969 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 8 |
دانلود دیتاشیت IPD30N03S2L-10-VB |
IPD30N03S2L-10-VB Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec IPD30N03S2L-10-VB
- Power Dissipation (Pd): -
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): -
- Continuous Drain Current (Id): 80A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5mΩ@10V,80A
- Package: TO-252
- Manufacturer: VBsemi Elec
